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As gigantes da tecnologia Kioxia e Sandisk anunciaram o desenvolvimento de uma inovadora arquitetura de memória flash 3D QLC de alto desempenho. Essa nova geração, a nona, foi projetada especificamente para atender às demandas crescentes de aplicações de inteligência artificial (IA) e o processamento intensivo de grandes volumes de dados, que exigem soluções de armazenamento cada vez mais rápidas e eficientes.
A Kioxia Corporation, subsidiária da Kioxia Holdings Corporation, e a Sandisk Corporation detalharam a tecnologia de memória flash 3D QLC de 2 Terabits (Tb), que se posiciona como um componente crucial para a infraestrutura orientada por IA. Esta novidade demonstra como os avanços no design de hardware podem elevar o patamar do armazenamento, permitindo que ele acompanhe a velocidade das cargas de trabalho de IA, ao mesmo tempo em que otimiza os custos de fabricação.
A base desta nova tecnologia é a arquitetura CMOS Bonded to Array (CBA), uma abordagem que integra um wafer CMOS de última geração com uma matriz de memória de performance já comprovada. Graças a significativas inovações em design e componentes, a solução oferece melhorias notáveis de desempenho, facilitando a implementação rápida de sistemas de armazenamento avançados para a nuvem e aplicações que dependem intensamente de dados.
Em comparação com a versão anterior, a QLC de 2 Tb da 8ª geração, a nova edição proporciona uma largura de banda superior para operações de gravação e leitura, impulsionada por sua arquitetura de 6 planos. Além disso, a eficiência energética foi aprimorada. A velocidade da interface NAND agora alcança 4,8 Gb/s, representando um aumento de 33% em relação aos dispositivos precedentes, o que é fundamental para a agilidade exigida pela IA.
Hideshi Miyajima, diretor de tecnologia da Kioxia, comentou sobre a profunda transformação que a IA está operando na sociedade. Ele destacou que as aplicações da inteligência artificial se expandem da IA generativa para modelos baseados em agentes e IA física, resultando em um uso de dados cada vez mais diversificado e complexo. Miyajima explicou que, ao combinar sua comprovada expertise em células de memória com os mais recentes avanços em CMOS, a Kioxia acelera o desenvolvimento de sua memória flash de 9ª geração, uma estratégia que permite entregar alta performance com um controle eficaz dos custos de investimento.
Alper Ilkbahar, diretor de tecnologia da Sandisk, ressaltou que a rápida expansão da IA está redefinindo as interfaces de armazenamento, gerando uma demanda por tecnologias de memória que precisam evoluir em um ritmo mais acelerado do que nos ciclos tecnológicos anteriores. Ele afirmou que a tecnologia QLC de 9ª geração é um exemplo da flexibilidade única da arquitetura CBA, que possibilita uma inovação mais veloz através do desenvolvimento independente das tecnologias CMOS e de memória, resultando em novos recursos lançados no mercado com excepcional eficiência de capital.
O lançamento da tecnologia de memória flash 3D QLC de 9ª geração marca um momento crucial na evolução da memória flash 3D e reforça a sólida parceria entre Kioxia e Sandisk. Ao maximizar a adaptabilidade de sua plataforma CBA, as empresas estão abrindo novas portas para a inovação em NAND e capacitando seus clientes a atender às crescentes necessidades de armazenamento na era da inteligência artificial.
A tecnologia CBA (CMOS Bonded to Array) descreve um método de fabricação onde os wafers CMOS e os wafers de matriz de células são produzidos separadamente em suas condições ideais e, posteriormente, unidos. Este processo otimizado permite a criação de componentes mais eficientes e de alto desempenho.
É importante salientar que a medida de 1 Gb/s é calculada como 1.000.000.000 bits por segundo. Este valor foi obtido em um ambiente de teste controlado pelas empresas, e seu desempenho pode variar conforme as condições reais de uso do dispositivo.
A densidade do produto refere-se à capacidade dos chips de memória que compõem o produto, e não à capacidade de armazenamento efetivamente disponível para o usuário final. A capacidade utilizável será sempre menor devido à existência de áreas de dados adicionais, formatação, blocos defeituosos e outras limitações. Esta capacidade também pode ser alterada dependendo do dispositivo hospedeiro e do aplicativo em questão.
